法國研究團隊使用了4個量子級聯激光器(QCL)芯片作為光源,這些芯片位于一個外部腔(MIRCAT系統,Daylight Solutions)中,工作在脈沖狀態(100 kHz重復頻率,500 ns脈沖寬度),范圍從5.08 μm到11.21 μm。從該系統發出的光被耦合到先前使用ZnSe非球面透鏡描述的螺旋波導中,并在輸出處使用類似的透鏡收集。他們使用的光斑分析設備是DATARAY的WinCamD-IR-BB。
圖a給出了實驗裝置的示意圖,圖b給出了在6.6 cm長的波導輸出處采集的TE模式在模式分析器上拍攝的圖像。對于激光系統中四個不同的QCL中的每一個,發射的光被耦合到給定長度的波導中,然后收集輸出信號,一旦使用模式分析器確保正確的耦合,就會發送到HgCdTe探測器以測量輸出的歸一化功率。輸入和輸出對準在每個QCL的增益頻譜的中心位置進行,然后測量輸出信號的強度,而輸入波長掃過給定QCL的輸出頻譜。該測量是針對每個QCL和可測量的波導長度進行的。
計算側壁粗糙度、自由載流子吸收和多聲子吸收的模型用于計算SiGe波導中的傳播損耗。
團隊使用了從模擬傳播損耗(也就是研究的所有所關注的貢獻之和)出發來定義傳播損耗,結果以黑體畫出在上圖中。結果顯示,在5到9微米的范圍內,這個模型給出了一個不錯的估算。然而,在9微米以上的波長范圍內,實驗測量與理論模型之間存在一個差值低于2分貝每厘米。除此之外,還列舉了幾個可能的原因來解釋這一差異。首先是模擬模型沒有考慮梯度層中的殘余應變——該模型未考慮梯度層中殘余應變,它會影響晶格結構的散射關系,并從而影響多波吸收。然而,目前沒有相關的研究探討多波吸收與SiGe alloys中的缺陷的關系。其次可能是梯度層中存在缺陷,在這種情況下,缺陷可以對較大的光子波長產生更多影響,因為光學模式的尺寸增加,從而與這些缺陷發生重疊。但對缺陷密度與傳播損耗之間的關系進行精確量化是十分困難的。
綜上所述,本文制備了Ge-摻雜SiGe光學波導,覆蓋了5到11微米的所有波長范圍。在5到7微米的范圍內,損失量低于0.5dB/cm。一直到11微米,損失值仍控制在合理范圍內。而且損失量可以進一步減小,通過減少p型摻雜的殘留濃度到低于2×1014/cm³的水平,但這種處理可能相對困難。此外,可以通過使用摻雜補償技術將波導轉換為n型或無摻雜狀態來降低傳播損耗,這在Si和Ge中都表現良好。
Dataray中紅外光束質量分析儀
Dataray的WinCamD-IR-BB是專為紅外波段設計的相機型光束分析儀,可分析MWIR與FIR范圍內的光束質量,具有高靈敏度。
WinCamD-IR-BB采用氧化釩(VOx)微測熱輻射計,可探測波長范圍達2-16µm,在像素尺寸17x17µm的情況下靶面范圍有10.88x8.16mm,并擁有640x480的分辨率。
WinCamD-IR-BB擁有USB3.0接口,可以直接連接電腦并使用專用的Dataray軟件進行光斑輪廓以及光束信息的分析與記錄。
中紅外光譜儀與光源
NLIR 2-5 μm 中紅外光譜儀采用了一種新穎的測量結構。該結構基于上轉換技術,可以將中紅外光轉為近可見光。近可見光硅基探測器在探測能力、速度、噪聲等方面的性能都遠優于中紅外探測器。
NLIR的長波長光譜儀的原型版本覆蓋7.6 μm 至12.0μm(1316 cm-1至833 cm-1)。該光譜儀目前具有50 Hz的全光譜讀出速率和10 cm-1的分辨率,全孔徑曝光時靈敏度為200 pW/nm(-67 dBm/nm)。
瑞士Arcoptix公司紅外光譜儀具有小巧緊湊,高性價比,高分辨率,寬波長范圍,高靈敏度等優點。近紅外光譜儀覆蓋范圍達900-2600nm,紫外覆蓋型號則可以擴展到200-2600nm,而中紅外專用款式則可以檢測到2-16μm波段范圍內。
Arcoptix傅里葉變換紅外光譜儀與光柵光譜儀不同,不會受到二階三階衍射譜的影響。沒有增益波動、暗電流波動和像素缺陷,適用于光纖系統以及空間光系統。
Arcoptix也提供波長范圍覆蓋近紅外(0.4-4µm)和中紅外(1-25µm)的兩款光源,帶有可卸載的光纖耦合器,可以在自由空間光或者光纖耦合輸出中隨意選擇。
參考